国内光化学界更是流传着关于藤岛昭教授一门三院士，贵州黔站桃李满天下的佳话。

这个方法还能推广到其他p型金属氧化物中并且引出了一个更广的概念：南建能电M-O-X，南建能电其中M是Sn2+，Ni2+，Cu1+，Pd2+等这些处于相对还原态的金属，是产生低空穴有效质量高空穴迁移率的原因，而X则是第三种元素用来调节禁带宽度和相稳定性。一个明显的缺点是，设独由于在金属氧化物中空穴迁移率通常远远低于电子迁移率，这些金属氧化物只能n型导电。

【成果简介】对此，立共德州大学达拉斯分校KJ Cho课题组提出了通过引入第三种元素到二元金属氧化物的方法来改善p型氧化物禁带宽度小相稳定性弱的缺点。享储文献链接：FirstPrinciplesDesignofHighHoleMobilityp-TypeSn–O–XTernaryOxides:ValenceOrbitalEngineeringofSn2+ inSn2+–O–XbySelectionofAppropriateElementsX(ChemistryofMaterials,2020,DOI: 10.1021/acs.chemmater.0c03495)本文由作者供稿。常见的由金属氧化物形成的半导体有TiO2，贵州黔站SnO2和In2O3。

他们提出了一个化学式通式：南建能电M-O-X，南建能电其中M是Sn2+，Ni2+，Cu1+，Pd2+等这些处于相对还原态的金属，是产生低空穴有效质量高空穴迁移率的原因，而X则是第三种元素用来调节禁带宽度和相稳定性。设独这个方法成功的筛选出了基于Sn2+的高空穴迁移率高相稳定性的三元化合物:K2Sn2O3,Rb2Sn2O3,TiSnO3,Ta2SnO6,和Sn5(PO5)2。

目前被广泛研究的p型氧化物半导体有SnO，立共NiO，立共Cu2O，PdO等等，这些氧化物的价带顶因为有金属原子轨道和氧原子的p轨道杂化使得价带顶能带色散增强，因而空穴有效质量比较小，迁移率比较大。

享储【研究背景】金属氧化物这一类半导体被用作透明导电电极而广泛应用于光电和显示器件中。贵州黔站2014年作为中国大陆首位获奖人获得美国材料学会奖励MRSMid-CareerResearcherAward。

南建能电1999年进入中国科学院化学研究所工作。温度的独特分布将抑制生长过程中的气相反应，设独从而确保获得清洁度得到改善的石墨烯。

立共1996年进入日本科技厅神奈川科学技术研究院工作。此外，享储聚电解质水凝胶膜功能的良好可调性可系统地理解可控离子扩散机理及其对整体膜性能的影响。